低导通电阻的超结VDMOS结构
授权
摘要
本发明提供一种低导通电阻的超结VDMOS结构，该结构包括：位于第一导电类型半导体漏区上的超结结构；超结结构包括第一导电类型及第二导电类型半导体柱；相邻两第一导电类型及第二导电类型半导体柱的交界面部分区域替换为由异质结形成的横向HEMT结构；HEMT结构包括第一半导体材料柱及第二半导体材料柱。通过在超结区域设置异质结形成HEMT结构，引入二维电子气来进行导电，极大地降低器件导通电阻，通过超结结构的第一导电类型半导体柱与第二导电类型半导体柱之间的电位差来控制HEMT结构的关断，保证在源区与漏区之间的低漏压下，二维电子气可存在于异质结表面，有效减低器件的导通电阻；在源区与漏区之间的高漏压下，二维电子气耗尽，器件能够耐受高压。
基本信息
专利标题 ：
低导通电阻的超结VDMOS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113964189A
申请号 ：
CN202111584948.2
公开（公告）日 ：
2022-01-21
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
CN113964189B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
李吕强陈辉
申请人 ：
杭州芯迈半导体技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
贺妮妮
优先权 ：
CN202111584948.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2022-02-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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