用于超结(SJ)器件的边缘终端的系统和方法
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摘要
本文公开的主题涉及超结(SJ)功率器件，并且更具体地，涉及用于SJ功率器件的边缘终端技术。半导体超结(SJ)器件包括一个或多个外延(epi)层，其具有设置于有源区附近的终端区。所述终端区包括第一和第二导电率类型的多个垂直柱，其中，从有源区向外移动，每个连续垂直柱的相应宽度相同或更小。所述终端区还包括多个补偿区，其具有直接设置于第一导电率类型的每个垂直柱的第一侧和第二导电率类型的每个垂直柱的第一侧之间的低掺杂浓度，其中，从所述有源区向外移动，每个连续补偿区的相应宽度相同或更大。
基本信息
专利标题 ：
用于超结(SJ)器件的边缘终端的系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110121784A
申请号 ：
CN201780081773.9
公开（公告）日 ：
2019-08-13
申请日 ：
2017-10-24
授权号 ：
CN110121784B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
亚历山大·维克托洛维奇·博罗特尼科夫雷扎·甘地大卫·艾伦·利林菲尔德皮特·艾尔梅伦·洛希
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李海霞
优先权 ：
CN201780081773.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/768
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-11-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20171024
申请日 : 20171024
2019-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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