用于高电压超结终端的工艺
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种制造具有有源区和终端区的半导体器件的方法，其包括：提供具有彼此相反的第一和第二主表面的半导体衬底。该半导体衬底具有有源区和围绕该有源区的终端区。将第一主表面氧化。在终端区中形成第一多个沟槽和第一多个台面。以电介质材料填充终端区中的该第一多个沟槽。在终端区中的第二多个沟槽。以电介质材料填充该第二多个沟槽。
基本信息
专利标题 ：
用于高电压超结终端的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101421836A
申请号 ：
CN200580048259.2
公开（公告）日 ：
2009-04-29
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石甫渊布赖恩·D·普拉特
申请人 ：
三维半导体公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200580048259.2
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599307413
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2005800482592
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20110511
终止日期 : 20131227
号牌文件序号 : 101599307413
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2005800482592
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20110511
终止日期 : 20131227
2011-05-11 ：
授权
2009-06-24 ：
实质审查的生效
2009-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
