具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构
授权
摘要
本实用新型涉及具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、氧化层、屏蔽栅、栅极导电多晶硅、第二导电类型外延体、第一导电类型源极区、源极接触金属、绝缘介质层、源极金属层、场氧层、下层终端场板和上层终端场板与场氧条块。本实用新型的器件通过在终端区的场氧层内形成上层终端场板和下层终端场板的结构，可以优化终端环设计，分散终端环的电场分布；在器件元胞区的氧化层内采用上层栅极导电多晶硅、下层屏蔽栅的结构，可降低输入电容，减少器件开关损失；在器件元胞区的第一导电类型外延层内采用阶梯型的第二导电类型外延体，并且和第一导电类型外延层形成SJ MOS的效应。
基本信息
专利标题 ：
具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921907575.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN210379056U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
吴宗宪陈彦豪
申请人 ：
苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921907575.6
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/06 H01L29/423 H01L27/088 H01L21/8234 H01L21/28
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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