一种屏蔽结构及电磁器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种屏蔽结构及电磁器件，涉及供电设备技术领域，本实用新型的屏蔽结构，包括底座以及与底座连接的屏蔽壳，屏蔽壳与底座围合的区域用于设置电磁器件，底座包括层叠设置的屏蔽层和连接层，电磁器件通过连接层分别与电源和负载连接。本实用新型提供的屏蔽结构及电磁器件，能够提高电磁器件的工作稳定性，降低受外界环境干扰的影响，同时本申请的电磁器件也不会对其他元件或设备的正常工作造成干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种屏蔽结构及电磁器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123178829.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
CN216412855U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
张洪枫
申请人 ：
东莞铭普光磁股份有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市石排镇东园大道石排段157号1号楼
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔熠
优先权 ：
CN202123178829.5
主分类号 ：
H01F27/36
IPC分类号 ：
H01F27/36 H01F27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F27/00
变压器或电感器的一般零部件
H01F27/34
防止或减少不需要的电或磁的影响，例如空载损失、电抗性电流、谐波、振荡、漏磁的特殊装置
H01F27/36
电或磁的屏蔽或遮蔽
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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