一种光有源器件EMI电磁屏蔽装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种光有源器件EMI电磁屏蔽装置，该装置包括安装在光有源器件外部的第一屏蔽件和第二屏蔽件，所述第一屏蔽件和第二屏蔽件的两端通过错位搭接结构固定连接。本实用新型利用第一屏蔽件与第二屏蔽件的错位搭接结构对电磁波信号进行折射，使得电磁波信号得到大量衰减；同时在光有源器件外表面设置导电层，有效实现EMI电磁屏蔽，具有结构简单、适用性好等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种光有源器件EMI电磁屏蔽装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920858718.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-10
授权号 ：
CN210183792U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
伏春廖强
申请人 ：
成都鸿芯光电通信有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天府四街66号航兴国际2号楼1502
代理机构 ：
成都虹盛汇泉专利代理有限公司
代理人 ：
刘冬静
优先权 ：
CN201920858718.2
主分类号 ：
H05K9/00
IPC分类号 ：
H05K9/00
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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