屏蔽结构和半导体器件
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种屏蔽结构和半导体器件。本实用新型实施例提供的屏蔽结构，用于降低集成电路中电子元件与其他部件之间的电磁感应，所述屏蔽结构包括彼此独立的至少两个分部；其中，各个分部均包括多个等间距分部的金属条；以及至少部分分部所包括金属条之间的形状相异。本实用新型实施例提供的屏蔽结构，能有效的对电子元件进行有效的隔离，减少诸如电子元件中诸如衬底等的损耗，提高电子元件的品质因素Q的效果。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽结构和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022383026.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
CN213071122U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
杨建伟周文婷
申请人 ：
加特兰微电子科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路666号、银冬路122号5幢地下1层，1_10层901室
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202022383026.2
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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