一种自屏蔽半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种自屏蔽半导体器件，采用金属基板、绝缘导热片、芯片叠层面连结的结构形式，使所有电极均不与屏蔽壳层电连结，或其中一个电极与屏蔽壳层电连结。在塑封表面上除电极及电极绝缘部分外，其余表面部分覆盖着导电壳层。本发明提供了一种自屏蔽半导体器件，该器件在各种应用场合中无需外加屏蔽盒，即具有无干扰自屏蔽功能。
基本信息
专利标题 ：
一种自屏蔽半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1077056A
申请号 ：
CN92106731.3
公开（公告）日 ：
1993-10-06
申请日 ：
1992-09-30
授权号 ：
CN1032671C
授权日 ：
1996-08-28
发明人 ：
苗庆海张兴华王家俭张德骏李如尧
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
250100山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
任诠
优先权 ：
CN92106731.3
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/70 H01L23/58 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
1998-11-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-08-28 ：
授权
1993-10-06 ：
公开
1993-09-29 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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