一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型提出一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件。其在半导体基板的第一导电类型外延层上表面开设沟槽，沟槽的下部内壁设置场氧化层，场氧化层内的两侧设置多晶硅场板，多晶硅场板之间通过介质层相隔离；沟槽的上部内壁设置栅氧化层，栅氧化层内的两侧设置栅极多晶硅场板，栅极多晶硅场板之间通过介质层相隔离；沟槽的上部外侧由上至下依次设置有第一导电类型注入层和第二导电类型层，沟槽的底部设置有第二导电类型层。本实用新型提出一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件，避免了栅氧层在多晶硅上的生长步骤，提高了栅极氧化层的可靠性，减少制造时间，减少制造工艺步骤，降低制造成本，且引入沟槽底部的浮置阱结构，提高了器件的耐压能力。
基本信息
专利标题 ：
一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920644238.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-07
授权号 ：
CN209626223U
授权日 ：
2019-11-12
发明人 ：
丁磊侯宏伟
申请人 ：
张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体
代理机构 ：
南京天华专利代理有限责任公司
代理人 ：
夏平
优先权 ：
CN201920644238.6
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2019-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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