一种栅控型功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种栅控型功率器件，包括多个原胞，原胞包括硅衬底，硅衬底顶部设有两个分离的栅极氧化层，每个栅极氧化层顶部均设有栅极多晶硅层，每个栅极多晶硅层顶部均设有硅化钨层，每个硅化钨层均外包裹有层间介质层，两个层间介质层之间设有发射极接触孔，发射极接触孔和两个层间介质层的上方均设有金属层，发射极接触孔下方设有P型井，P型井中还设有源极，源极分别连接栅极多晶硅层和发射极接触孔。本实用新型有效减小了芯片的面积，并且使得栅极的方块电阻能够大幅度下降。
基本信息
专利标题 ：
一种栅控型功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921243418.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-02
授权号 ：
CN210245507U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
刘剑郑泽人龚大卫王玉林
申请人 ：
扬州国扬电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市经济技术开发区吴州东路188号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
饶欣
优先权 ：
CN201921243418.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/78 H01L29/49 H01L21/336 H01L21/331
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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