一种基于肖特基结构的屏蔽栅型功率器件
授权
摘要
本实用新型提出一种基于肖特基结构的屏蔽栅型功率器件，包括N－基片，其上表面上开有若干个垂直沟槽，沟槽外围的表面下方形成N+注入层，沟槽内填有绝缘介质层，且绝缘介质层内开有第一空腔和第二空腔，第一空腔、第二空腔内填满导电多晶硅，沟槽及其外围的表面覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上覆盖有金属层，金属层向下延伸至引线孔内，引线孔与N+注入层之间形成扇状的P+注入层，引线孔、P+注入层和N+注入层三者的下方形成扇状的P－注入层。本实用新型在续流时少子扩散大大减小，正向压降降低，反向恢复损耗小，快关速度及反向恢复软度提高，可靠性增加。
基本信息
专利标题 ：
一种基于肖特基结构的屏蔽栅型功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921934314.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN210607270U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
丁磊侯宏伟顾挺
申请人 ：
张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体
代理机构 ：
南京天华专利代理有限责任公司
代理人 ：
夏平
优先权 ：
CN201921934314.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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