一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括N+衬底、N‑型基区、P型基区，N+集电区，源极电极、二氧化硅绝缘层、漏极电极，屏蔽栅设置在两个P型基区之间深入N‑型基区内部，上述屏蔽栅覆盖沟槽薄氧，上述沟槽薄氧内部设置有栅极多晶硅、连栅极多晶硅；在两个P型基区的外侧各有一个贯穿二氧化硅绝缘层抵达P型基区表面的源极电极凸起，上述源极电极凸起下方垂直设置贯穿P型基区抵达N‑型基区内部的连源极多晶硅，上述连源极多晶硅覆盖有沟槽厚氧；上述沟槽厚氧、沟槽薄氧底部设置P+型基区。有益效果是可以提高器件击穿电压、降低器件导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921456831.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN210467853U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
陆怀谷
申请人 ：
深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区49区河东商业城华创达文化科技产业园9栋（F座）2-6楼501
代理机构 ：
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张宁展
优先权 ：
CN201921456831.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/40 H01L29/06
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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