一种高压功率半导体芯片的封装结构
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摘要
一种高压功率半导体芯片的封装结构，包括：基板；位于所述基板上的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有栅极；覆盖所述高压功率半导体芯片的第一封装框盖，所述第一封装框盖具有第一顶板，所述第一顶板中具有栅极预留口；栅极引出部，所述栅极引出部的一端位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接。所述高压功率半导体芯片的封装结构的寄生电感降低。
基本信息
专利标题 ：
一种高压功率半导体芯片的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021586937.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-03
授权号 ：
CN212517200U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
王亮石浩杜玉杰
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
秦广成
优先权 ：
CN202021586937.9
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/04 H01L23/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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