一种高压功率半导体芯片的新型封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压功率半导体芯片的新型封装结构，包括半导体芯片主体、封装层、第一橡胶垫、通风口和放置槽，所述第一弹簧内部设置有移动杆，且移动杆下端连接有第一连接板，所述半导体芯片主体上侧设置有螺纹杆，所述上盖板内部设置有移动块，所述螺纹杆下端设置有第二连接板，且第二连接板下端设置有第二橡胶垫，所述第二连接板上设置有第二弹簧，所述半导体芯片主体上侧设置有散热片，所述封装层内部开设有放置槽。该高压功率半导体芯片的新型封装结构，设置有通风口和散热片，通过通风口与散热片对半导体芯片主体进行散热，从而使其散热效率更高，使其方便进行使用，并且通过螺纹杆可方便对散热片进行拆卸。
基本信息
专利标题 ：
一种高压功率半导体芯片的新型封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123015763.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
CN216288408U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
宋中峰
申请人 ：
上海优昕电子信息技术有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区秀文路898号西子国际5号楼508室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123015763.8
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/467 H01L23/00 H01L23/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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