一种高压功率半导体芯片的封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种高压功率半导体芯片的封装结构，包括基板；位于部分集电极导电层上且与集电极导电层电学连接的高压功率半导体芯片，高压功率半导体芯片的发射极与发射极导电层电学连接；集电极引出端子，位于集电极导电层上且与集电极导电层电学连接；发射极引出端子，位于发射极导电层上且与发射极导电层电学连接；集电极引出端子包括第一段区，发射极引出端子包括与第一段区相对设置的第二段区，第一段区朝向发射极引出端子凹进，和/或，第二段区朝向集电极引出端子凹进；第一绝缘填充层，第一段区与第二段区之间，该封装结构具有较小的寄生电感，因此适用于高压功率半导体芯片封装。
基本信息
专利标题 ：
一种高压功率半导体芯片的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022539999.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
CN213042912U
授权日 ：
2021-04-23
发明人 ：
韩荣刚石浩张西子
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛异荣
优先权 ：
CN202022539999.0
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/492 H01L21/54 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-04-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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