芯片堆叠屏蔽结构和屏蔽结构制作方法
公开
摘要
本发明的实施例提供了一种芯片堆叠屏蔽结构和屏蔽结构制作方法，涉及电磁屏蔽技术领域。该芯片堆叠屏蔽结构中，组合芯片包括第一倒装芯片和第一芯片，将第二芯片的高度设置为组合芯片的高度，结构更加紧凑、稳定；在沟道内设置填充体，可改善结构的散热性能以及减少堆叠结构的应力；在第二芯片和第三芯片上设置具有接地属性的屏蔽焊盘，通过设置功能金属线和屏蔽金属线，将屏蔽金属线设置在功能金属线的外围，实现至少对第二倒装芯片和第三芯片的电磁屏蔽，屏蔽效果好，制作方便。
基本信息
专利标题 ：
芯片堆叠屏蔽结构和屏蔽结构制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300446A
申请号 ：
CN202210221082.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张聪白胜清
申请人 ：
甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘曾
优先权 ：
CN202210221082.7
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/00 H01L23/373 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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