LED芯片结构及其制作方法
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摘要
本发明的实施例提供了一种LED芯片结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例的LED芯片结构的制作方法包括在金属阻挡层制作前，对金属反射镜的表面进行平滑化处理，再沉积制作金属阻挡层。然后，对金属反射镜和金属阻挡层的组合结构进行退火处理。通过此制作方法，在保证反射镜良好性能的前提下，提高阻挡层金属的沉积质量，减小金属阻挡层的应力作用，并显著简化工艺调整过程，增强工艺的可移植性和兼容性，提升了LED芯片结构的可靠性。本发明实施例提供的LED芯片结构通过本发明实施例的制作方法制得，其金属阻挡层和金属反射镜的结合性好，因此具有较高的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
LED芯片结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111200046A
申请号 ：
CN202010031515.3
公开（公告）日 ：
2020-05-26
申请日 ：
2020-01-13
授权号 ：
CN111200046B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
李祈昕刘宁炀陈志涛李叶林曾昭烩任远曾巧玉
申请人 ：
广东省半导体产业技术研究院
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
严诚
优先权 ：
CN202010031515.3
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-06-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/46
申请日 : 20200113
申请日 : 20200113
2020-05-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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