一种LED芯片结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明是关于一种LED芯片结构及其制作方法。该LED芯片结构具有一种具有表面微结构的透明导电层，该微结构Ra值在nm量级，光线经过微结构的反射，可以有效改变传播方向，降低出光面的全反射几率，最终提升器件的光效。
基本信息
专利标题 ：
一种LED芯片结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551681A
申请号 ：
CN202210184100.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王程刚
申请人 ：
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
代理机构 ：
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴丽伟
优先权 ：
CN202210184100.9
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/42
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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