VCSEL芯片、制作方法和激光芯片
授权
摘要
本发明公开了VCSEL芯片、制作方法和激光芯片，该VCSEL芯片，包括：半绝缘衬底；缓冲层，形成于所述半绝缘衬底上；VCSEL外延结构，生长于缓冲层背离所述半绝缘衬底的表面；p侧电极，自所述VCSEL外延结构背离所述半绝缘衬底的表面延伸至所述半绝缘衬底，所述p侧电极与VCSEL外延结构的侧面之间间隔形成有空气隙。本发明的p电极采用悬空电极，其下方为空气，因此p电极引入的电容几乎为零，进而使芯片的工作速率最大。
基本信息
专利标题 ：
VCSEL芯片、制作方法和激光芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113540970A
申请号 ：
CN202110808432.5
公开（公告）日 ：
2021-10-22
申请日 ：
2021-07-16
授权号 ：
CN113540970B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
祝进田
申请人 ：
杰创半导体（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市片区金鸡湖大道99号纳米城西北区20幢405、406室
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
仲崇明
优先权 ：
CN202110808432.5
主分类号 ：
H01S5/042
IPC分类号 ：
H01S5/042 H01S5/183
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法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/042
申请日 : 20210716
申请日 : 20210716
2021-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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