本发明实施例提供一种混合材料相控阵激光雷达发射芯片、制作方法及激光雷达，该混合材料相控阵激光雷达发射芯片，包括：第一材料结构层、SOI硅波导结构层和耦合连接结构，第一材料结构层通过耦合连接结构与SOI硅波导结构层进行光路连接；第一材料结构层，用于将输入光耦合到芯片上；耦合连接结构，用于对耦合到所述芯片上的光波进行分束，并将分束后每束光波耦合到所述SOI硅波导结构层对应的硅波导中；其中，第一材料结构层中的第一材料的非线性系数低于硅的非线性系数，且第一材料为与CMOS工艺相兼容的材料，使得输入到混合材料相控阵激光雷达发射芯片里的光功率大幅提高，从而极大的改善激光雷达的探测性能。