微型LED芯片及其制作方法
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摘要
本发明涉及一种微型LED芯片及其制作方法。在基板上形成将各LED外延结构的上表面和下表面覆盖的第一绝缘层之后，可通过光刻工艺在各LED外延结构上表面上的第一绝缘层上形成第一凹槽和第二凹槽；该制作过程工艺更为简化、高效；且第一凹槽可直接通过在第一绝缘层上的相应位置形成，更利于微型LED芯片小型化。
基本信息
专利标题 ：
微型LED芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112968101A
申请号 ：
CN202011437725.9
公开（公告）日 ：
2021-06-15
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
CN112968101B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
王涛
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
李发兵
优先权 ：
CN202011437725.9
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/38 H01L33/00
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20201207
申请日 : 20201207
2021-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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