芯片及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了芯片及其制作方法，所述芯片包括依次堆叠设置的硅片、外延层和势垒层，所述硅片的其中一面上设有沟槽，所述外延层和势垒层设置在所述硅片中设有沟槽的一面上，且覆盖所述沟槽；所述势垒层、势垒层正下方的外延层形成势垒区。本申请通过在硅片的表面设置沟槽，使得势垒区的面积增大，进而使得势垒区可以承受的电流密度增加，导致芯片的正向压降降低，这样在相同的芯片尺寸下，本申请由于正向压降较低就有了明显的优势，使得产品竞争力得到了提高。
基本信息
专利标题 ：
芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361237A
申请号 ：
CN202110289994.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史仁先王国峰
申请人 ：
青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号
代理机构 ：
深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
邢涛
优先权 ：
CN202110289994.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210318
申请日 : 20210318
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
