LED倒装芯片的制作方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种高出光效率结构LED倒装芯片的制作方法，属于半导体发光二极光LED材料和器件工艺技术领域。通过在蓝宝石衬底上利用微粒子的自组装排列和激光照射方法制备高分子材料微米或亚微米级微凸透镜阵列层，并通过使用ICP(耦合离子刻蚀)或RIE(反应离子刻蚀)设备，利用氯离子及氩离子对高分子材料微凸透镜阵列进行干法刻蚀，将蓝宝石基片上的高分子材料微凸透镜阵列转移到蓝宝石基片表面上，从而在蓝宝石基片上制备出微米或亚微米级微凸透镜，以十分有效地提高发光二极管LED倒装芯片的出光效率和改善LED元件的质量和器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
LED倒装芯片的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819286A
申请号 ：
CN200510112162.5
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄素梅靳彩霞孙卓
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
200062上海市中山北路3663号
代理机构 ：
上海德昭知识产权代理有限公司
代理人 ：
程宗德
优先权 ：
CN200510112162.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2013-02-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101402336760
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101121625
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20111228
号牌文件序号 : 101402336760
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101121625
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20111228
2007-12-19 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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