大功率LED倒装芯片及其制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种大功率LED倒装芯片，由P－N电极外延片和带有反射层的硅衬底组成；在P－N电极之间生长一层钝化层；在本征半导体硅衬底上形成电学隔离层，在该电学隔离层上形成金属反射层；所述P－N电极外延片和带有反射层的硅衬底进行倒装焊接形成大功率LED倒装芯片。该芯片的制作方法包括在硅衬底上利用PECVD淀积一层P－N电极的电学隔离层，该电学隔离层为SiO2或Si3N4绝缘层，厚度为50nm－100nm，然后用磁控溅射或电子束蒸发一层厚度为200nm－300nm的金属反射层，该金属反射层采用TiAl或TiAg。本发明可有效提高大功率LED倒装芯片的发光效率和散热能力。
基本信息
专利标题 ：
大功率LED倒装芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967883A
申请号 ：
CN200510110474.2
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
靳彩霞董志江许亚兵丁晓民黄素梅
申请人 ：
上海蓝光科技有限公司;华东师范大学
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路351号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110474.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2009-04-29 ：
授权
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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