一种芯片倒装结构制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种芯片倒装结构制作方法，获取一外延片，外延片的表面设有GaP层，将GaP层进行粗化；在粗化后的GaP层表面生长SiO2层，并对SiO2层进行抛光处理；获取蓝宝石衬底，对蓝宝石衬底以及抛光后的芯片进行预处理，预处理包括有机清洗及烤干；对预处理后的芯片及蓝宝石衬底进行离子轰击，并将离子轰击后的芯片及蓝宝石衬底置于键合机中进行低温高压键合，得到芯片倒装结构。上述芯片倒装结构制作方法，通过采用等离子活化方式替换了传统的化学活化方式，提高了芯片的打断键合成功率，解决了现有技术中的倒装结构LED芯片在化学活化后需进行高温键合，使得芯片极易因高温产生的应力翘曲或暗裂，影响产能的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片倒装结构制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497322A
申请号 ：
CN202210328391.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贾钊窦志珍兰晓雯杨琦胡加辉金从龙
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210328391.4
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/22 H01L33/44
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/48
申请日 : 20220331
申请日 : 20220331
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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