LDMOSFET器件、制作方法及芯片
授权
摘要
本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区，所述体区以及漂移区形成在所述半导体衬底内，所述栅极形成在半导体衬底的上方，且一端与所述体区相连，另一端位于所述漂移区上方，所述源极区形成在所述体区内且位于栅极的一侧；所述漏极区形成在所述栅极的另一侧，所述漏极区形成在所述半导体衬底上方与所述漂移区相接。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
LDMOSFET器件、制作方法及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361244A
申请号 ：
CN202210270476.1
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
CN114361244B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
李红
优先权 ：
CN202210270476.1
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/08
申请日 : 20220318
申请日 : 20220318
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
