SCR器件和芯片
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件和芯片。SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。高压P阱区依次设置有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区。高压N阱区依次设置有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区与第一P+掺杂区之间的距离小于预设距离，预设距离为位于高压N阱区和高压P阱区共同形成的区域的最外侧的两个掺杂区之间的距离。本申请的SCR器件和芯片中，将高压P阱区中的第一P+掺杂区与高压N阱区中的第二N+掺杂区之间的距离设置为小于预设距离，当SCR器件被ESD激励并导通时，SCR器件能够分段导通，提高SCR器件的维持电压，实现了维持电压的大幅度提升。
基本信息
专利标题 ：
SCR器件和芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464614A
申请号 ：
CN202210015941.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李德建李振国王源贺俊敏申子龙陈晓刚
申请人 ：
北京智芯微电子科技有限公司;北京大学;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区南邵镇南中路电网产业大厦
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
欧阳高凤
优先权 ：
CN202210015941.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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