芯片和电子器件

授权

摘要

本实用新型提供一种芯片，包括衬底和保护环结构，保护环结构设于衬底并环绕衬底的边缘布置，保护环结构包括内环和外环，该保护环结构还包括压力分散结构，该压力分散结构包括压力分散单元，压力分散单元设于衬底，并连接于内环与外环之间。本实用新型的芯片通过在保护环结构中设置压力分散结构，且该压力分散结构包括压力分散单元，压力分散单元连接于保护环结构的内环和外环之间，显著提高了保护环结构的强度，进而提升其抗压能力，减少芯片因应力产生的裂纹，大大降低了芯片的破损率。

基本信息

专利标题：

芯片和电子器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922132366.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-29

授权号：

CN210640220U

授权日：

2020-05-29

发明人：

刘志拯

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

赵倩

优先权：

CN201922132366.5

主分类号：

H01L23/00

IPC分类号：

H01L23/00