晶体芯片混合金属化方法及晶体芯片和电子器件
公开
摘要
本发明公开一种晶体芯片混合金属化方法及晶体芯片和电子器件。本发明的晶体芯片的金属沉积与硅的粘附性好，形成接触时空洞少，能够使晶片与沉积金属的粘结机械强度高，晶片之间的焊层接触热阻小，从而使器件的热阻降低，二次击穿性能好，抗热疲劳循环次数高。另外，本发明的金属沉积后，与硅的欧姆接触好，串联电阻小。
基本信息
专利标题 ：
晶体芯片混合金属化方法及晶体芯片和电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300351A
申请号 ：
CN202111622524.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卜庆革
申请人 ：
青岛天银纺织科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市城阳区河套街道胶州湾综合保税区骏业路8号
代理机构 ：
北京北汇律师事务所
代理人 ：
李英杰
优先权 ：
CN202111622524.0
主分类号 ：
H01L21/288
IPC分类号 ：
H01L21/288 H01L29/45 C23C18/18 C23C18/36 C23C18/42
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/288
液体的沉积，例如，电解沉积
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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