硅器件芯片背面银系溅射金属化
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具有良好的浸锡沾润性能和很强的附着能力。实验表明，本方法显著地改善了晶体管的电学性能，热疲劳试验达3万次，达到高可靠质量要求，溅射银系工艺成本低，便于推广。
基本信息
专利标题 ：
硅器件芯片背面银系溅射金属化
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052750A
申请号 ：
CN89109303.6
公开（公告）日 ：
1991-07-03
申请日 ：
1989-12-18
授权号 ：
CN1017950B
授权日 ：
1992-08-19
发明人 ：
张利春赵忠礼高玉芝宁宝俊王阳元
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村
代理机构 ：
北京大学专利事务所
代理人 ：
郑胜利
优先权 ：
CN89109303.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/283
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
1995-02-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-02-01 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-03-24 ：
授权
1992-08-19 ：
审定
1991-07-03 ：
公开
1990-05-23 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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