一种芯片及电子器件
授权
摘要
本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片及电子器件，芯片包括垂直互联的电子封装基板和导线框架，其中：电子封装基板与导线框架之间电连接；电子封装基板上安装有多个功率半导体芯片，每一个功率半导体芯片包括：栅极、第一发射极和第二发射极，且每一个功率半导体芯片与电子封装基板之间电连接；导线框架上安装有多个驱动控制芯片，每一个驱动控制芯片与导线框架之间电连接；每一个驱动控制芯片的驱动电极与对应的功率半导体芯片上的栅极之间通过金属引线连接。本申请公开的芯片，通过在芯片表面互联使用导线框架，替代了铝线，散热效果更好，可靠性及电流密度得到提升。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片及电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020297245.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-11
授权号 ：
CN211350580U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
江伟史波曾丹敖利波肖婷曹俊马颖江
申请人 ：
珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘红彬
优先权 ：
CN202020297245.6
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/56 H01L23/495 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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