MOSFET器件及芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种MOSFET器件及芯片。MOSFET器件包括半导体基板；间隔设置的多个场限环，场限环包括形成于半导体基板上表面的沟槽，以及向半导体基板内延伸的第一掺杂区，相邻的第一掺杂区接触或交叠；环绕在场限环外侧的结终端延伸结构，结终端延伸结构包括第二掺杂区，第二掺杂区自半导体基板上表面向半导体基板内延伸，第二掺杂区与最外侧场限环中的第一掺杂区接触或交叠；相邻场限环中，内侧场限环的第一掺杂区的深度大于或等于外侧场限环的第一掺杂区的深度；多个场限环中，至少两个第一掺杂区的深度不同，最外侧场限环中第一掺杂区的深度大于或等于第二掺杂区的深度。本实用新型提供的MOSFET器件具有较强的耐压性。
基本信息
专利标题 ：
MOSFET器件及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123031598.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
CN216250741U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
常东旭王振达周源李静怡王超朱林迪梁维佳胡磊杨棂鑫邢岳
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京科慧致远知识产权代理有限公司
代理人 ：
王乾旭
优先权 ：
CN202123031598.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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