SCR器件和芯片
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件，SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。所述高压P阱区依次设置有第一P+掺杂区和第一N+掺杂区。所述高压N阱区依次设置有第二P+掺杂区和第二N+掺杂区，所述第一N+掺杂区的下方设置有预设常压P阱区和/或所述第二P+掺杂区的下方设置有预设常压N阱区。本申请的SCR器件和芯片中，在高压P阱区中的第一N+掺杂区的下方构成预设常压P阱区和/或在高压N阱区中的第二P+掺杂区的下方构成预设常压N阱区，提高了SCR器件发射极注入载流子的复合效率，抑制SCR器件在导通过程中的再生反馈作用，提高维持电流，避免SCR器件在静电防护冲击下出现闩锁现象。
基本信息
专利标题 ：
SCR器件和芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446946A
申请号 ：
CN202210016566.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王于波胡毅王源贺俊敏申子龙毛航银
申请人 ：
北京智芯微电子科技有限公司;北京大学;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区南邵镇南中路电网产业大厦
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
欧阳高凤
优先权 ：
CN202210016566.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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