屏蔽栅MOSFET器件和芯片
授权
摘要
本申请涉及屏蔽栅MOSFET器件和芯片，该屏蔽栅MOSFET器件中的元胞结构体包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的第一上表面设置屏蔽栅，屏蔽栅的上方设置控制栅，第一导电类型漂移区和控制栅各自与屏蔽栅之间设置第一隔离层，第一导电类型漂移区的第二上表面设置第二导电类型基区，第二导电类型基区的上方设置第一导电类型源区，第一导电类型源区中靠近控制栅的第三上表面设置第二隔离层，第二隔离层的部分上表面与第一导电类型源区中远离控制栅的第四上表面设有源极金属层，第二上表面与第一上表面各自所在区域的漂移区的厚度之差大于或等于屏蔽栅层与第一隔离层的厚度之和。上述屏蔽栅MOSFET器件降低了栅源电容。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽栅MOSFET器件和芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122093215.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-31
授权号 ：
CN216288472U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
李伟聪姜春亮林泳浩雷秀芳
申请人 ：
深圳市威兆半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
王敏生
优先权 ：
CN202122093215.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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