屏蔽栅功率半导体器件

授权

摘要

本实用新型涉及一种屏蔽栅功率半导体器件，它包括栅极金属、源极金属、沟槽、屏蔽栅多晶硅、栅极多晶硅、屏蔽栅接触孔、栅极接触孔、漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、场氧层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、栅氧层、绝缘介质层、屏蔽栅总线金属与栅极总线金属；还包括屏蔽栅极电阻Rs，屏蔽栅极电阻Rs连接在屏蔽栅总线金属与源极金属之间。本实用新型能有效地防止屏蔽栅功率MOSFET的栅极电压、漏源电压、漏源电流在反向恢复过程中出现剧烈的震荡现象，而且屏蔽栅极电阻Rs越大，波形震荡越小。本实用新型的结构不影响器件的静态参数。

基本信息

专利标题：

屏蔽栅功率半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020997663.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-02

授权号：

CN212033029U

授权日：

2020-11-27

发明人：

朱袁正周锦程杨卓刘晶晶叶鹏

申请人：

无锡新洁能股份有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

曹祖良

优先权：

CN202020997663.6

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/78