一种屏蔽栅半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率半导体结构，尤其是一种屏蔽栅半导体功率器件。本实用新型的屏蔽栅半导体功率器件包括第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在俯视角度上，第一导电类型外延层表面设有互相平行且均匀分布的第一类沟槽，所述半导体功率器件上至少一处设置有第二类沟槽，第二类沟槽垂直设置在相邻的第一类沟槽之间，所述第二类沟槽的两端均与第一类沟槽相连，第二类沟槽的两端均与第一类沟槽相连或第二类沟槽的一端与第一类沟槽相连，另一端与第一类沟槽不相连。第二类沟槽是人为设置的击穿薄弱点，能够分散短路关断瞬间的电流，防止电流过于集中，从而解决相关技术中短路关断瞬间失效的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种屏蔽栅半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122462132.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-13
授权号 ：
CN216213474U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
朱袁正叶鹏周锦程杨卓刘晶晶
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区电腾路6号
代理机构 ：
无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱荣富
优先权 ：
CN202122462132.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/10 H01L29/423
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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