LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件。所述LDMOSFET器件的制作方法包括：在衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区；在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层；在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板。本发明通过第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层构成LDMOSFET器件的三场板结构，不仅可以降低器件的表面电场，还可以降低器件的内部电场，在确保低导通电阻的前提下，提高LDMOSFET器件的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496802A
申请号 ：
CN202210388660.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余山赵东艳王于波陈燕宁王帅鹏刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文
申请人 ：
北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈潇潇
优先权 ：
CN202210388660.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/40 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220414
申请日 : 20220414
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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