本发明提供一种高压MOS器件的制作方法。所述制作方法包括：提供包括有源区的半导体基底，半导体基底上形成有栅氧化层和硬掩模层，栅氧化层和硬掩模层依次覆盖有源区的上表面，位于有源区的边缘区域上的栅氧化层的厚度大于位于有源区的中心区域上的栅氧化层的厚度；以硬掩模层为掩膜，执行第一离子注入工艺，倾斜地向有源区的边缘区域注入掺杂物质；以及去除硬掩模层，执行第二离子注入工艺，向有源区注入掺杂物质，在有源区的顶部形成高压注入阱。如此通过第一离子注入工艺来补偿第二离子注入工艺中有源区的边缘区域的注入剂量较少的问题，从而可以提高形成的高压注入阱的掺杂浓度的均匀性，提高高压MOS器件的电性能。