高压晶闸管器件
授权
摘要
本实用新型公开一种高压晶闸管器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出。本实用新型有利于进一步提高器件的功率，也便于热量扩散，防止水汽进入器件内部，便于热量扩散同时，提高了器件整体结构稳定性。
基本信息
专利标题 ：
高压晶闸管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021859235.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN212810285U
授权日 ：
2021-03-26
发明人 ：
唐兴军王亚
申请人 ：
苏州兴锝电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202021859235.3
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L29/74 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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