一种低压低容晶闸管浪涌保护阵列器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种低压低容晶闸管浪涌保护阵列器件,该阵列器件包括引线框架、硅芯片组件,所述引线框架包括第一至第四基岛;第一二极管芯片粘接于第一基岛;第二二极管芯片粘接于第三基岛;所述第三、第四二极管芯片和晶闸管芯片粘接于第四基岛;所述第一、第二二极管芯片、晶闸管芯片与第二基岛电性连接;第三二极管芯片与第三基岛电性连接;第四二极管芯片与第一基岛电性连接。本实用新型在较小的封装外形尺寸内实现了低电容、低残压、高浪涌、多路阵列等特性,相比一般半导体浪涌保护阵列器件,该浪涌保护阵列器件在不增加电容的前提下,具有浪涌电流能力极强、浪涌钳位电压极低的优势,使其在通讯保护领域具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 :
一种低压低容晶闸管浪涌保护阵列器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123109072.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-10
授权号 :
CN216624279U
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
吴月挺仇利民戴剑龚建
申请人 :
苏州晶讯科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
潘文斌
优先权 :
CN202123109072.4
主分类号 :
H01L25/18
IPC分类号 :
H01L25/18 H01L23/495 H01L23/49 H01L23/62
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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