本实用新型公开了一种低压低容晶闸管浪涌保护阵列器件，该阵列器件包括引线框架、硅芯片组件，所述引线框架包括第一至第四基岛；第一二极管芯片粘接于第一基岛；第二二极管芯片粘接于第三基岛；所述第三、第四二极管芯片和晶闸管芯片粘接于第四基岛；所述第一、第二二极管芯片、晶闸管芯片与第二基岛电性连接；第三二极管芯片与第三基岛电性连接；第四二极管芯片与第一基岛电性连接。本实用新型在较小的封装外形尺寸内实现了低电容、低残压、高浪涌、多路阵列等特性，相比一般半导体浪涌保护阵列器件，该浪涌保护阵列器件在不增加电容的前提下，具有浪涌电流能力极强、浪涌钳位电压极低的优势，使其在通讯保护领域具有广阔的应用前景。