一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列，包括P型衬底、N型扩散区和电压调制区，所述P型衬底的左侧设有第一N型隔离区，所述P型衬底的右侧设有第二N型隔离区；本实用新型的浪涌保护阵列将低容二极管阵列与晶闸管集成在一起，采用晶闸管作为主要浪涌泄放器件，相对于采用相同封装的以传统TVS作为浪涌泄放器件的ESD阵列的65A，本实用新型的浪涌电流IPP的值实现达到100A，具有相对于采用TVS作为浪涌泄放器件更强的浪涌能力，满足了静电防护及浪涌防护的应用要求，从而使得静电防护器件在使用中可以在极短的时间内导通分流，避免浪涌对回路中其他设备的损害。
基本信息
专利标题 ：
一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921235539.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-01
授权号 ：
CN210272355U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
邹有彪王全倪侠徐玉豹王超
申请人 ：
富芯微电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区柏堰科技园香蒲路503号
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡剑辉
优先权 ：
CN201921235539.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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