浪涌保护器件
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种浪涌保护器件。所述浪涌保护器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层中的至少一个掩埋层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；其中，至少一个所述掩埋层位于所述第一半导体层的边缘，且所述第一半导体层的边缘暴露出所述至少一个掩埋层。本实用新型实施例能够降低浪涌保护器件的电容。
基本信息
专利标题 ：
浪涌保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922118262.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN211376646U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
孙浩牟宗文周继峰
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
王瑞朋
优先权 ：
CN201922118262.9
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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