一种半导体结构、浪涌保护器件和芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体结构、浪涌保护器件和芯片，所述半导体结构包括：第一导电类型衬底；设置在衬底上的第一子结构和第二子结构，第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，连接第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第一金属电极；第二子结构包括第一导电类型阱区，设置在第一导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，连接第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第二金属电极；半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的电压的极性形成晶闸管或二极管，所述晶闸管具有骤回功能。本实用新型能够实现对电子产品的浪涌保护和静电放电保护。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体结构、浪涌保护器件和芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021371870.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
CN212257390U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
杨显精张守明韩红岩李洪朋
申请人 ：
北京时代华诺科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区安翔北里甲11号院1幢B座1003室
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
张帆
优先权 ：
CN202021371870.7
主分类号 ：
H01L23/62
IPC分类号 ：
H01L23/62 H01L27/02 H01L29/74 H01L29/861 H01L29/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/62
防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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