高浪涌能力的双向TVS器件结构
授权
摘要
本实用新型提供一种高浪涌能力的双向TVS器件结构，其包括P型衬底、N型区、N+柱、钝化层和金属电极，N型区设置在P型衬底两端，一端露出P型衬底，另一端沉入P型衬底中，N+柱设置在N型区上，一端露出N型区，另一端沉入N型区，钝化层呈环状，设置在P型衬底两端，接触P型衬底和N型区，金属电极设置在钝化层远离P型衬底一侧，用于外接电路。本实用新型的高浪涌能力的双向TVS器件结构，通过再制造过程中长时间的深结扩散，降低两个PN结之间的寄生电阻区，同时在N型区扩散高浓度的N+柱，减少N型区扩散欧姆电阻，提高了双向TVS的大电流浪涌通流能力。
基本信息
专利标题 ：
高浪涌能力的双向TVS器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021992765.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212725315U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
刘宗贺吴沛东王涛廖泽华
申请人 ：
深圳长晶微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
代理机构 ：
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李捷
优先权 ：
CN202021992765.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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