一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件，包括元胞结构，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区上表面一侧形成沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次设置的N+Poly栅极、P型轻掺杂一区、N型轻掺杂区、P型轻掺杂二区、N型源极接触区。本实用新型在传统的SGT MOSFET结构以及多晶硅多掺杂的纵向MOSFET结构的基础上，实现对功率MOS器件的开关性能和ESD保护性能两种性能的同时改进。
基本信息
专利标题 ：
一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022484962.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213184301U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
李泽宏赵一尚胡汶金林泳浩李伟聪
申请人 ：
深圳市威兆半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道田寮工业A区田寮大厦1115
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
彭西洋
优先权 ：
CN202022484962.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/02
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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