一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测装置,包括检测架和测试仪,还包括:安装于所述检测架内腔两侧表面的滑轨一,所述滑轨一表面滑动套接有滑套一,两个所述滑套一之间横向固定有滑轨二。本实用新型,通过可以横纵轴移动的两个电导轨与滑套,能够使其电流触发模块和触发头移动至电子装置的任意检测位置,探测头也可以在凹槽内任意位置放置,使得在对电子装置进行检测时,无需手动操作触发装置和探测头,防止人员触碰电压造成意外发生,且可以通过预设的扭簧,带动着压板将电子装置的两侧压住固定,防止检测过程中电子装置的晃动,与触发头和探测头出现位移偏差,使得装置的检测保持高度精准。

基本信息
专利标题 :
一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122929974.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-26
授权号 :
CN216560863U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
蒲辰
申请人 :
南京易恩电气科技有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市经济技术开发区恒泰路8号汇智科技园B3栋13层
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202122929974.6
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G01R1/04  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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