用于高电流横向功率半导体器件的器件拓扑
公开
摘要
一种横向功率半导体器件结构包括在有源拓扑上的焊盘，其中优化片上互连金属化层和接触焊盘位置以降低互连电阻。对于横向GaN HEMT，其中漏极、源极和栅极指状电极在有源区的第一和第二边缘延伸，该源极和漏极总线在有源区的第一和第二边缘的位置中间穿过有源区，与源极指状物和漏极指状物的第一和第二部分互连，该指状物向有源区的第一和第二边缘横向延伸。外部接触焊盘放置在源极和漏极总线上。对于给定的管芯尺寸，该互连结构降低了源极和漏极金属互连中电流通路的长度，并提供了例如较低的互连电阻、每单位有源区更大的载流量和每个管芯更大的有源区利用率中的至少一个。
基本信息
专利标题 ：
用于高电流横向功率半导体器件的器件拓扑
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447108A
申请号 ：
CN202111237743.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯赛因·穆萨维爱德华·麦克罗比
申请人 ：
GaN系统公司
申请人地址 ：
加拿大安大略省渥太华
代理机构 ：
深圳市博锐专利事务所
代理人 ：
林栋
优先权 ：
CN202111237743.7
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/778 H01L23/50 H01L27/06
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
