半导体存储器件的电流检测电路
专利申请的视为撤回
摘要
半导体存储器件中静态随机存取存储器的一种电流检测电路，该电路有一个由NMOS晶体管构成电流/电压转换器，NMOS晶体管的沟道分别连接在数据线对的各数据线与电压检测放大器输入节点之间，晶体管的各栅极交叉耦合，因而可以将电流快速转换成电压，从而能快速检测存储在存储单元中的数据。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件的电流检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1085004A
申请号 ：
CN93109684.7
公开（公告）日 ：
1994-04-06
申请日 ：
1993-08-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁哲珉徐英豪崔镇荣林亨圭
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN93109684.7
主分类号 ：
G11C5/00
IPC分类号 ：
G11C5/00 H01L27/11
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/00
包括在G11C11/00组中的存储器零部件
法律状态
1997-09-17 ：
专利申请的视为撤回
1995-07-12 ：
实质审查请求的生效
1994-04-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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