写操作电路和半导体存储器

授权

摘要

本申请实施例提供一种写操作电路和半导体存储器，包括：数据判断模块，根据半导体存储器的输入数据中为低的数据的位数，确定是否翻转输入数据，以生成翻转标识数据和第一中间数据；数据缓冲模块，根据第二中间数据，确定是否翻转全局总线，其中，第二中间数据为第一中间数据的反相数据；数据接收模块，根据翻转标识数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入半导体存起的存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据；预充电模块，将全局总线的初始态设置为高。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge上拉架构下，减少内部全局总线的翻转次数，从而大幅压缩电流，降低功耗。

基本信息

专利标题：

写操作电路和半导体存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921804570.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-25

授权号：

CN211125037U

授权日：

2020-07-28

发明人：

张良

申请人：

长鑫存储技术（上海）有限公司

申请人地址：

上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元(名义楼层9层)

代理机构：

北京市铸成律师事务所

代理人：

包莉莉

优先权：

CN201921804570.0

主分类号：

G11C11/409

IPC分类号：

G11C11/409