读操作电路和半导体存储器
授权
摘要

本申请实施例至少提供一种读操作电路和半导体存储器。该读操作电路包括:数据判断模块,用于从存储块中读出读取数据,并根据前次读取数据和当前读取数据中数据变化的位数,确定是否翻转当前读取数据,以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据;数据接收模块,用于根据翻转标识数据,确定是否翻转全局总线数据,以输出缓存数据;并串转换电路,用于对缓存数据进行并串转换,以生成DQ端口的输出数据;数据缓冲模块,用于根据使能信号以及当前读取数据确定全局总线的初始态。本申请实施例的技术方案可以实现在TriState架构下,减少内部全局总线翻转次数,大幅压缩电流,降低功耗。

基本信息
专利标题 :
读操作电路和半导体存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921804727.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-25
授权号 :
CN210667806U
授权日 :
2020-06-02
发明人 :
张良
申请人 :
长鑫存储技术(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元(名义楼层9层)
代理机构 :
北京市铸成律师事务所
代理人 :
包莉莉
优先权 :
CN201921804727.X
主分类号 :
G11C11/409
IPC分类号 :
G11C11/409  G11C11/413  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的
G11C11/4063
辅助电路,例如,用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
法律状态
2020-06-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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